NSS40200UW6T1G ON Semiconductor
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Technische Details NSS40200UW6T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.
Weitere Produktangebote NSS40200UW6T1G nach Preis ab 0.47 EUR bis 0.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NSS40200UW6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R |
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NSS40200UW6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R |
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NSS40200UW6T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW |
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| NSS40200UW6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NSS40200UW6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R |
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NSS40200UW6T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 875 mW |
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NSS40200UW6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR |
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