Technische Details NSS40302PDR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 783mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 783mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSS40302PDR2G nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NSS40302PDR2G | onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 653mW Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 88233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A |
auf Bestellung 8152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 783mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 783mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS40302PDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 783mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 783mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS40302PDR2G | ONN |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSS40302PDR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.89 EUR |
| 5000+ | 0.82 EUR |
| 7500+ | 0.81 EUR |
| NSS40302PDR2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 486+ | 1.36 EUR |
| 540+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| NSS40302PDR2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 200+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.25 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 2000+ | 0.94 EUR |
| NSS40302PDR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 88233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.22 EUR |
| 11+ | 2.03 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| NSS40302PDR2G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
auf Bestellung 8152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.27 EUR |
| 10+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 2500+ | 0.9 EUR |
| 5000+ | 0.86 EUR |
| NSS40302PDR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 3.93 EUR |
| 101+ | 2.31 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.77 EUR |
| NSS40302PDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.93 EUR |
| 101+ | 2.31 EUR |
| 150+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.77 EUR |
| NSS40302PDR2G |
![]() |
Hersteller: ONN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)





