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NSS40302PDR2G

NSS40302PDR2G ON Semiconductor

nss40302p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details NSS40302PDR2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 783mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 783mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : onsemi nss40302p-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 2500
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : ON Semiconductor nss40302p-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : ON Semiconductor nss40302p-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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Mindestbestellmenge: 64
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : onsemi NSS40302P-D.PDF Bipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
auf Bestellung 8152 Stücke:
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100+1.17 EUR
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2500+0.76 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : onsemi nss40302p-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 6981 Stücke:
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6+3.04 EUR
10+1.93 EUR
100+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : ONSEMI 2338007.pdf Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : ONSEMI 2338007.pdf Description: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : ON Semiconductor nss40302p-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G Hersteller : ON Semiconductor nss40302p-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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NSS40302PDR2G Hersteller : ONSEMI nss40302p-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3A; SO8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.576W
Case: SO8
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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