NSS60200LT1G

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Produktcode: 121380
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G Hersteller : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.16 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G Hersteller : onsemi NSS60200L_D-1813768.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
auf Bestellung 42339 Stücke:
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5+0.67 EUR
10+0.45 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G Hersteller : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
33+0.54 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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