NSS60200LT1G ON Semiconductor
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Technische Details NSS60200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSS60200LT1G nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.86 EUR
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NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
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NSS60200LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A |
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NSS60200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
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NSS60200LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NSS60200LT1G Produktcode: 121380
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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