NSS60200LT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NSS60200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSS60200LT1G nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A |
auf Bestellung 42339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
auf Bestellung 39414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 15630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G Produktcode: 121380
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||||
 |
NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
NSS60200LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| NSS60200LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.54W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 150 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |