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NSS60200LT1G

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Produktcode: 121380
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 39000 Stücke:
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3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi NSS60200L_D-1813768.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
auf Bestellung 42339 Stücke:
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5+0.8 EUR
10+0.54 EUR
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500+0.3 EUR
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3000+0.2 EUR
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15630 Stücke:
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251+1 EUR
388+0.6 EUR
519+0.42 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
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NSS60200LT1G NSS60200LT1G onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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NSS60200LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
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NSS60200LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39414 Stücke:
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21+1.02 EUR
33+0.64 EUR
100+0.4 EUR
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