NSS60201LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
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Technische Details NSS60201LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NSS60201LT1G nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NSS60201LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 460 mW |
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NSS60201LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR |
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NSS60201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 12943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60201LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSS60201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Current gain: 100...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NSS60201LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Current gain: 100...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
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