NSS60600MZ4T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 2000+ | 0.34 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 5000+ | 0.3 EUR |
| 7000+ | 0.29 EUR |
| 10000+ | 0.28 EUR |
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Technische Details NSS60600MZ4T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSS60600MZ4T1G nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 25656 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A |
auf Bestellung 4485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 14388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 14388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON |
10+ |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |