NSS60600MZ4T1G ON Semiconductor
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Technische Details NSS60600MZ4T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NSS60600MZ4T1G nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON |
10+ |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSS60600MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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