Produkte > ONSEMI > NSS60600MZ4T3G
NSS60600MZ4T3G

NSS60600MZ4T3G onsemi

nss60600mz4-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSS60600MZ4T3G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Weitere Produktangebote NSS60600MZ4T3G nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 7446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
24+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G onsemi NSS60600MZ4-D.PDF Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
auf Bestellung 7535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.35 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60600MZ4T3G nss60600mz4-d.pdf
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60600MZ4T3G nss60600mz4-d.pdf
NSS60600MZ4T3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 7446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
24+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4-D.PDF
NSS60600MZ4T3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
auf Bestellung 7535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.35 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS60600MZ4T3G nss60600mz4-d.pdf
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH