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NSS60600MZ4T3G

NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor

nss60600mz4-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

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NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Hersteller : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Hersteller : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Hersteller : onsemi NSS60600MZ4_D-2318291.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
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NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Hersteller : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
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Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
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Power - Max: 800 mW
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