NSS60601MZ4T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.41 EUR |
| 2000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.34 EUR |
| 7000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details NSS60601MZ4T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSS60601MZ4T1G nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NSS60601MZ4T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT) |
auf Bestellung 28142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), niedrige Sättigungsspannung (VCE (SAT)), NPN, 60 V, 6 A, 710 mW tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSS60601MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSS60601MZ4T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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