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NSS60601MZ4T1G

NSS60601MZ4T1G ON Semiconductor


nss60601mz4-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NSS60601MZ4T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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216+0.72 EUR
296+ 0.51 EUR
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NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : ON Semiconductor nss60601mz4-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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19+0.95 EUR
22+ 0.83 EUR
100+ 0.58 EUR
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NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : onsemi NSS60601MZ4_D-2318292.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
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43+ 1.24 EUR
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500+ 0.74 EUR
1000+ 0.61 EUR
2000+ 0.55 EUR
5000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : ONSEMI 1749231.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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NSS60601MZ4T1G NSS60601MZ4T1G Hersteller : ONSEMI 1749231.pdf Description: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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