Produkte > ONSEMI > NST3904MX2T5G
NST3904MX2T5G

NST3904MX2T5G onsemi


NST3904MX-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: SS SOT883 GP XSTR NPN PBFR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 165 mW
auf Bestellung 7985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
45+0.4 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NST3904MX2T5G onsemi

Description: SS SOT883 GP XSTR NPN PBFR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 165 mW.

Weitere Produktangebote NST3904MX2T5G nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NST3904MX2T5G Hersteller : onsemi NST3904MX_D-3006490.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT883 GP XSTR NPN PBFR
auf Bestellung 7970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.39 EUR
11+0.26 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
8000+0.076 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST3904MX2T5G NST3904MX2T5G Hersteller : onsemi NST3904MX-D.PDF Description: SS SOT883 GP XSTR NPN PBFR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 165 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH