NST3906DXV6T1 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST3906DXV6T1 - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details NST3906DXV6T1 ONSEMI
Description: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-563, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 500mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote NST3906DXV6T1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NST3906DXV6T1 | onsemi |
Description: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-563 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 500mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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| NST3906DXV6T1 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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NST3906DXV6T1 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual |
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| NST3906DXV6T1 |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-563
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 500mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-563
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 500mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| NST3906DXV6T1 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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Stück im Wert von UAH
| NST3906DXV6T1 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual
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