Produkte > ONSEMI > NST65010MW6T1G
NST65010MW6T1G

NST65010MW6T1G onsemi


nst65010mw6-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NST65010MW6T1G onsemi

Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.

Weitere Produktangebote NST65010MW6T1G nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Hersteller : onsemi NST65010MW6_D-2318375.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra
auf Bestellung 46108 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
47+1.11 EUR
75+ 0.7 EUR
220+ 0.24 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 47
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Hersteller : onsemi nst65010mw6-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 9914 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+1.14 EUR
33+ 0.8 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: -W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NST65010MW6T1G NST65010MW6T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NST65010MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: -W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NST65010MW6T1G Hersteller : ON Semiconductor nst65010mw6-d.pdf
auf Bestellung 1689 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)