Produkte > ONSEMI > NST65011MW6T1G
NST65011MW6T1G

NST65011MW6T1G onsemi

nst65011mw6-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
75000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NST65011MW6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote NST65011MW6T1G nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Hersteller : onsemi nst65011mw6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 111040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
45+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G Hersteller : onsemi nst65011mw6-d.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra
auf Bestellung 6709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.7 EUR
10+0.42 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST65011MW6T1G Hersteller : ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH