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NST65011MW6T1G

NST65011MW6T1G ON Semiconductor

nst65011mw6-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
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Technische Details NST65011MW6T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11820 Stücke:
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1458+0.12 EUR
1473+0.12 EUR
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1565+0.11 EUR
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 34300 Stücke:
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10000+0.13 EUR
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 35104 Stücke:
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G onsemi nst65011mw6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G ON Semiconductor nst65011mw6-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
515+0.35 EUR
863+0.2 EUR
875+0.19 EUR
1458+0.11 EUR
1473+0.1 EUR
1518+0.095 EUR
1565+0.088 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G onsemi nst65011mw6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 111040 Stücke:
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28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G onsemi nst65011mw6-d.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra
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5+0.83 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.86 EUR
484+0.48 EUR
820+0.26 EUR
1022+0.21 EUR
1122+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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NST65011MW6T1G NST65011MW6T1G ONSEMI nst65011mw6-d.pdf Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
415+0.56 EUR
658+0.32 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1458+0.12 EUR
1473+0.12 EUR
1518+0.11 EUR
1565+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.096 EUR
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AnzahlPrivatkunde
4546+0.14 EUR
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Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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NST65011MW6T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NST65011MW6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
515+0.35 EUR
863+0.2 EUR
875+0.19 EUR
1458+0.11 EUR
1473+0.1 EUR
1518+0.095 EUR
1565+0.088 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
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NST65011MW6T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 111040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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NST65011MW6T1G nst65011mw6-d.pdf
NST65011MW6T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Dual MatchedNPN Tra
auf Bestellung 6709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.83 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NST65011MW6T1G ONSM-S-A0013750189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NST65011MW6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.86 EUR
484+0.48 EUR
820+0.26 EUR
1022+0.21 EUR
1122+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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NST65011MW6T1G nst65011mw6-d.pdf
NST65011MW6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST65011MW6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+0.99 EUR
415+0.56 EUR
658+0.32 EUR
878+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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NST65011MW6T1G nst65011mw6-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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