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NST807CMTWFTBG

NST807CMTWFTBG onsemi

NST807_D-3579677.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA
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Technische Details NST807CMTWFTBG onsemi

Description: TRANS PNP 45V 0.5A 3XDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 350 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NST807CMTWFTBG NST807CMTWFTBG Hersteller : onsemi NST807-D.PDF Description: TRANS PNP 45V 0.5A 3XDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
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