Produkte > ONSEMI > NST807CMTWFTBG
NST807CMTWFTBG

NST807CMTWFTBG onsemi

NST807-D.PDF
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA
auf Bestellung 2691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+0.82 EUR
10+0.5 EUR
100+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NST807CMTWFTBG onsemi

Description: TRANS PNP 45V 0.5A 3XDFNW, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Frequency - Transition: 360MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote NST807CMTWFTBG

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NST807CMTWFTBG NST807CMTWFTBG onsemi NST807-D.PDF Description: TRANS PNP 45V 0.5A 3XDFNW
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST807CMTWFTBG NST807-D.PDF
NST807CMTWFTBG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A 3XDFNW
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH