Produkte > ONSEMI > NST846BMX2T5G
NST846BMX2T5G

NST846BMX2T5G onsemi


Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 7682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
45+0.40 EUR
100+0.20 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NST846BMX2T5G onsemi

Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0402 (1006 Metric), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 225 mW.

Weitere Produktangebote NST846BMX2T5G nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NST846BMX2T5G Hersteller : onsemi NST846BMX2_D-3150436.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT883 GP XSTR NPN 65V
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.36 EUR
12+0.24 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.10 EUR
2500+0.10 EUR
8000+0.07 EUR
24000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NST846BMX2T5G NST846BMX2T5G Hersteller : onsemi Description: TRANS NPN 65V 0.1A 3X2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-X2DFN (1x0.6)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH