NST856MTWFTBG onsemi
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details NST856MTWFTBG onsemi
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 650mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: XDFNW, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NST856MTWFTBG nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NST856MTWFTBG | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 650mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NST856MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 650mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NST856MTWFTBG |
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Hersteller: ONSEMI
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 254+ | 0.99 EUR |
| 414+ | 0.56 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| 863+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| NST856MTWFTBG |
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Hersteller: ONSEMI
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| 254+ | 0.99 EUR |
| 414+ | 0.56 EUR |
| 650+ | 0.33 EUR |
| 863+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |