NSTB60BDW1T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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Technische Details NSTB60BDW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NSTB60 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NSTB60BDW1T1G nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NSTB60BDW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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NSTB60BDW1T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS GP XSTR NPN |
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NSTB60BDW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NSTB60 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSTB60BDW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NSTB60 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSTB60BDW1T1G |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NSTB60BDW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |