| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.43 EUR |
| 13+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| 3000+ | 0.088 EUR |
| 6000+ | 0.083 EUR |
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Technische Details NSTB60BDW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NSTB60 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSTB60BDW1T1G nach Preis ab 0.098 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NSTB60BDW1T1G | onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSTB60BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NSTB60 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSTB60BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: NSTB60 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSTB60BDW1T1G |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NSTB60BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5960 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSTB60BDW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 0.46 EUR |
| 75+ | 0.29 EUR |
| 120+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| NSTB60BDW1T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NSTB60 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NSTB60 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 481+ | 0.52 EUR |
| 782+ | 0.3 EUR |
| 1243+ | 0.17 EUR |
| 1846+ | 0.12 EUR |
| 2203+ | 0.098 EUR |
| NSTB60BDW1T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
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Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NSTB60 Series
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Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
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Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NSTB60 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.52 EUR |
| 782+ | 0.3 EUR |
| 1243+ | 0.17 EUR |
| 1846+ | 0.12 EUR |
| 2203+ | 0.098 EUR |
| NSTB60BDW1T1G |
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auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| NSTB60BDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)