NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NSV1C201MZ4T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 800mW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NSV1C201MZ4T1G nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NSV1C201MZ4T1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSV1C201MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSV1C201MZ4T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSV1C201MZ4T1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSV1C201MZ4T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN |
auf Bestellung 18935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSV1C201MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 800mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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NSV1C201MZ4T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 800mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSV1C201MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 2000+ | 0.42 EUR |
| NSV1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| NSV1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
| NSV1C201MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.71 EUR |
| 20+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| NSV1C201MZ4T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRAN
auf Bestellung 18935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.73 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| NSV1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| 180+ | 1.3 EUR |
| 210+ | 1.02 EUR |
| 246+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| NSV1C201MZ4T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSV1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| 180+ | 1.3 EUR |
| 210+ | 1.02 EUR |
| 246+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |