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NSV1C301ET4G-VF01

NSV1C301ET4G-VF01 onsemi

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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
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Technische Details NSV1C301ET4G-VF01 onsemi

Description: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSV1C301ET4G-VF01 NSV1C301ET4G-VF01 ONSEMI ONSM-S-A0002916903-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NSV1C301ET4G-VF01 NSV1C301ET4G-VF01 onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NSV1C301ET4G-VF01
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NSV1C301ET4G-VF01
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
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NSV1C301ET4G-VF01
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1C301ET4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Description: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
auf Bestellung 5000 Stücke:
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