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NSV60200LT1G

NSV60200LT1G ON Semiconductor

nss60200l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NSV60200LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 460 mW.

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NSV60200LT1G NSV60200LT1G Hersteller : ON Semiconductor nss60200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV60200LT1G NSV60200LT1G Hersteller : onsemi nss60200l-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
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NSV60200LT1G NSV60200LT1G Hersteller : onsemi NSS60200L_D-1813768.pdf Bipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, PNP, -60 V, 2.0 A
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistor Type: PNP
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