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NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G onsemi

nsb1706dmw5t1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.23 EUR
21000+0.22 EUR
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Technische Details NSVB1706DMW5T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NSVB1706DMW5T1G nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSVB1706DMW5T1G NSVB1706DMW5T1G Hersteller : onsemi nsb1706dmw5t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 37399 Stücke:
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NSVB1706DMW5T1G Hersteller : onsemi NSB1706DMW5T1_D-2318232.pdf Digital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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4+0.74 EUR
10+0.63 EUR
100+0.43 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.22 EUR
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