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NSVBC817-16LT1G

NSVBC817-16LT1G onsemi

bc817-16lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
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Technische Details NSVBC817-16LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSVBC817-16LT1G NSVBC817-16LT1G ONSEMI 2673622.pdf Description: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NSVBC817-16LT1G NSVBC817-16LT1G ONSEMI bc817-16lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NSVBC817-16LT1G NSVBC817-16LT1G ON Semiconductor bc817-16lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NSVBC817-16LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NSVBC817-16LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7855 Stücke:
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776+0.3 EUR
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NSVBC817-16LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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