NSVBC847BLT3G ON Semiconductor
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Technische Details NSVBC847BLT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote NSVBC847BLT3G nach Preis ab 0.054 EUR bis 0.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V |
auf Bestellung 29405 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 18421 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBC847BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 225mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 100mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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NSVBC847BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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