NSVBCW32LT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NSVBCW32LT1G onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Power - Max: 225 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NSVBCW32LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSVBCW32LT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 32V
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