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NSVDTA113EM3T5G

NSVDTA113EM3T5G onsemi

dta113e-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Technische Details NSVDTA113EM3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSVDTA113EM3T5G NSVDTA113EM3T5G Hersteller : ON Semiconductor dta113e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 600mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
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NSVDTA113EM3T5G Hersteller : onsemi DTA113E_D-1387744.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSIST
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NSVDTA113EM3T5G NSVDTA113EM3T5G Hersteller : onsemi dta113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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