| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.65 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 2500+ | 0.13 EUR |
| 5000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details NSVDTC113EM3T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| NSVDTC113EM3T5G | ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSVDTC113EM3T5G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
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