| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details NSVF6003SB6T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: CPH, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSVF6003SB6T1G nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NSVF6003SB6T1G | onsemi |
 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPHPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSVF6003SB6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: CPH Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NSVF6003SB6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: CPH Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSVF6003SB6T1G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 20950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NSVF6003SB6T1G |
|
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.88 EUR |
| 16+ | 1.14 EUR |
| 25+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 250+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| NSVF6003SB6T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| NSVF6003SB6T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NSVF6003SB6T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
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