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NSVMMBT6429LT1G

NSVMMBT6429LT1G onsemi

mmbt6428lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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Technische Details NSVMMBT6429LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 700MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW.

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NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Hersteller : onsemi MMBT6428LT1_D-2316300.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Trnsistr
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NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Hersteller : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 225mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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