NSVMMBTH10LT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
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Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details NSVMMBTH10LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 999A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NSVMMBTH10LT1G nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NSVMMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 999A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 |
auf Bestellung 444981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | onsemi |
RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR |
auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSVMMBTH10LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
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Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| NSVMMBTH10LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
auf Bestellung 444981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1975+ | 0.3 EUR |
| NSVMMBTH10LT1G |
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Hersteller: onsemi
RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR
RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.46 EUR |
| 11+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |