NSVMMBTH10LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
| 15000+ | 0.25 EUR |
| 30000+ | 0.23 EUR |
| 75000+ | 0.22 EUR |
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Technische Details NSVMMBTH10LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Dauer-Kollektorstrom: 999A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote NSVMMBTH10LT1G nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 153143 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR |
auf Bestellung 5578 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 999A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 999A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 386000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |