Produkte > ONSEMI > NSVMMBTH81LT1G
NSVMMBTH81LT1G

NSVMMBTH81LT1G onsemi


mmbth81-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSVMMBTH81LT1G onsemi

Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote NSVMMBTH81LT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSVMMBTH81LT1G NSVMMBTH81LT1G Hersteller : onsemi MMBTH81_D-3006486.pdf Bipolar Transistors - BJT 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.58 EUR
10+0.39 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBTH81LT1G NSVMMBTH81LT1G Hersteller : onsemi mmbth81-d.pdf Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
auf Bestellung 5737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
45+0.4 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBTH81LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBTH81LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBTH81LT1G Hersteller : ONSEMI mmbth81-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 0.05A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH