Produkte > ONSEMI > NSVMMUN2133LT1G
NSVMMUN2133LT1G

NSVMMUN2133LT1G onsemi

dta143z-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.044 EUR
21000+0.042 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSVMMUN2133LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote NSVMMUN2133LT1G nach Preis ab 0.048 EUR bis 0.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G onsemi dta143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 31472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
143+0.14 EUR
215+0.098 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G ONSEMI dta143z-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
953+0.26 EUR
1334+0.18 EUR
2632+0.081 EUR
2858+0.075 EUR
3031+0.07 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G onsemi DTA143Z-D.PDF Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 33310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G ONSEMI dta143z-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.36 EUR
1103+0.21 EUR
1611+0.13 EUR
2228+0.096 EUR
3077+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.54 EUR
435+0.38 EUR
444+0.37 EUR
925+0.17 EUR
933+0.15 EUR
1114+0.13 EUR
1713+0.08 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G dta143z-d.pdf
NSVMMUN2133LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 31472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.21 EUR
143+0.14 EUR
215+0.098 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G dta143z-d.pdf
NSVMMUN2133LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
953+0.26 EUR
1334+0.18 EUR
2632+0.081 EUR
2858+0.075 EUR
3031+0.07 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G DTA143Z-D.PDF
NSVMMUN2133LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 33310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G dta143z-d.pdf
NSVMMUN2133LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
700+0.36 EUR
1103+0.21 EUR
1611+0.13 EUR
2228+0.096 EUR
3077+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G dta143z-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
327+0.54 EUR
435+0.38 EUR
444+0.37 EUR
925+0.17 EUR
933+0.15 EUR
1114+0.13 EUR
1713+0.08 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMUN2133LT1G dta143z-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH