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NSVMMUN2232LT1G

NSVMMUN2232LT1G onsemi

dtc143e-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Anzahl Preis
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Technische Details NSVMMUN2232LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Power - Max: 246 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote NSVMMUN2232LT1G nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2232LT1G onsemi dtc143e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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19+0.15 EUR
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500+0.074 EUR
1000+0.062 EUR
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