Produkte > ONSEMI > NSVMUN5211DW1T2G
NSVMUN5211DW1T2G

NSVMUN5211DW1T2G onsemi


dtc114ed-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSVMUN5211DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 385mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NSVMUN5211DW1T2G nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NSVMUN5211DW1T2G NSVMUN5211DW1T2G Hersteller : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+0.46 EUR
64+0.28 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2G Hersteller : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 7522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.32 EUR
14+0.21 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
3000+0.08 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMUN5211DW1T2G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH