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NSVMUN5333DW1T1G

NSVMUN5333DW1T1G onsemi

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Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR DUAL 50V
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Technische Details NSVMUN5333DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NSVMUN5333DW1T1G ON Semiconductor DTC143ZP-D.pdf Транзистор цифровий smd, Тип стр. = 1 NPN, 1 PNP, Ic = 100 мА, hFE = 80 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 1 мА, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25,... Транзистори Корпус: TSSOP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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