NSVT856MTWFTBG onsemi
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details NSVT856MTWFTBG onsemi
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: XDFNW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NSVT856MTWFTBG nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NSVT856MTWFTBG | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PNP 65V 0.1A 3XDFNWPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q101 |
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NSVT856MTWFTBG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: XDFNW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NSVT856MTWFTBG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - Transistor: XDFNW usEccn: EAR99 |
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| NSVT856MTWFTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
General Purpose Transistors PNP, 65 V, 100 mA NST856MTWFT Automotive AEC-Q101 |
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NSVT856MTWFTBG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A 3XDFNW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q101 |
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