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NSVTB60BDW1T1G

NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor


nstb60bdw1t1d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Automotive AEC-Q101
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Technische Details NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor nstb60bdw1t1d.pdf PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Automotive AEC-Q101
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NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G Hersteller : onsemi nstb60bdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
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NSVTB60BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor NSTB60BDW1T1-D-1388040.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP GENERAL PURPOSE
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