Produkte > ONSEMI > NTA4001NT1G

NTA4001NT1G onsemi


nta4001n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.073 EUR
6000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTA4001NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V.

Weitere Produktangebote NTA4001NT1G nach Preis ab 0.056 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTA4001NT1G NTA4001NT1G onsemi nta4001n-d.pdf MOSFETs 20V 238mA N-Channel
auf Bestellung 21108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
14+0.21 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA4001NT1G NTA4001NT1G onsemi nta4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 36053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
75+0.24 EUR
121+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA4001NT1G nta4001n-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs 20V 238mA N-Channel
auf Bestellung 21108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
8+0.36 EUR
14+0.21 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA4001NT1G nta4001n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 36053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
46+0.39 EUR
75+0.24 EUR
121+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH