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NTA4153NT1G

NTA4153NT1G ON Semiconductor

nta4153n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details NTA4153NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 915mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTA4153NT1G NTA4153NT1G Hersteller : onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
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NTA4153NT1G NTA4153NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R
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NTA4153NT1G NTA4153NT1G Hersteller : onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs 20V 915mA N-Channel
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NTA4153NT1G NTA4153NT1G Hersteller : onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
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NTA4153NT1G NTA4153NT1G Hersteller : ONSEMI nta4153n-d.pdf Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTA4153NT1G Hersteller : ON-Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 NTA4153NT3G NTA4153NT1G TNTA4153n
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NTA4153NT1G Hersteller : ONSEMI nta4153n-d.pdf NTA4153NT1G SMD N channel transistors
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NTA4153NT1G Hersteller : On Semiconductor nta4153n-d.pdf Small Signal MOSFET N-Channel with ESD Protection, 20 V, 915mA,, SOT-416
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NTA4153NT1G NTA4153NT1G Hersteller : ON Semiconductor nta4153n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416 T/R
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