NTB004N10G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 5.34 EUR |
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Technische Details NTB004N10G onsemi
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTB004N10G nach Preis ab 4.43 EUR bis 12.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 16800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs MV5 SOAFET 42MOHM 100V N-FET D2PAK |
auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V |
auf Bestellung 90300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTB004N10G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 201A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 175nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 3002A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTB004N10G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 201A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 175nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 3002A |
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