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NTB004N10G

NTB004N10G ON Semiconductor

ntb004n10g-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details NTB004N10G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTB004N10G NTB004N10G ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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23+7.58 EUR
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NTB004N10G NTB004N10G ON Semiconductor ntb004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 272 Stücke:
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23+7.43 EUR
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NTB004N10G NTB004N10G onsemi ntb004n10g-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
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2+11.73 EUR
10+9.02 EUR
25+8.34 EUR
100+7.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTB004N10G NTB004N10G onsemi ntb004n10g-d.pdf MOSFETs MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK
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NTB004N10G NTB004N10G ONSEMI 3005742.pdf Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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21+11.38 EUR
24+8.95 EUR
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NTB004N10G NTB004N10G ONSEMI 3005742.pdf Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 201A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V
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NTB004N10G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 201A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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21+11.38 EUR
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