NTB004N10G ON Semiconductor
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Technische Details NTB004N10G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTB004N10G nach Preis ab 4.38 EUR bis 9.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NTB004N10G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V |
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NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET 201 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK |
auf Bestellung 537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 201A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 201A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB004N10G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTB004N10G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTB004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 201 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTB004N10G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 201A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTB004N10G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 201A; Idm: 3002A; 340W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC On-state resistance: 4.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 201A Power dissipation: 340W Pulsed drain current: 3002A |
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