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NTB110N65S3HF

NTB110N65S3HF onsemi


ntb110n65s3hf-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
auf Bestellung 13600 Stücke:

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Technische Details NTB110N65S3HF onsemi

Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF Hersteller : onsemi ntb110n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
auf Bestellung 14328 Stücke:
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10+6.74 EUR
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NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF Hersteller : onsemi ntb110n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO263
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1+10.12 EUR
10+7.15 EUR
25+7.13 EUR
100+5.37 EUR
250+5.35 EUR
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NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF Hersteller : ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF Hersteller : ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTB110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF Hersteller : ON Semiconductor ntb110n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTB110N65S3HF Hersteller : ON Semiconductor ntb110n65s3hf-d.pdf
auf Bestellung 2094 Stücke:
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NTB110N65S3HF Hersteller : ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 69A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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NTB110N65S3HF Hersteller : ONSEMI ntb110n65s3hf-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 69A
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