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Technische Details NTB6410ANT4G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 305A, Power dissipation: 188W, Gate charge: 0.12µC, Polarisation: unipolar, Drain current: 76A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK, On-state resistance: 13mΩ.
Weitere Produktangebote NTB6410ANT4G nach Preis ab 3.88 EUR bis 8.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTB6410ANT4G | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK |
auf Bestellung 726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTB6410ANT4G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.32 EUR |
| 10+ | 5.49 EUR |
| 50+ | 4.27 EUR |
| 100+ | 3.88 EUR |