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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.65 EUR |
| 10+ | 5.1 EUR |
| 25+ | 4.82 EUR |
| 100+ | 4.17 EUR |
| 500+ | 3.56 EUR |
| 800+ | 2.97 EUR |
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Technische Details NTB6410ANT4G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 76A, On-state resistance: 13mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 188W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 0.12µC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 305A, Mounting: SMD, Case: D2PAK, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.
Weitere Produktangebote NTB6410ANT4G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTB6410ANT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK |
auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB6410ANT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK |
auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTB6410ANT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTB6410ANT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTB6410ANT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 305A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTB6410ANT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; Idm: 305A; 188W; D2PAK Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 76A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 305A Mounting: SMD Case: D2PAK |
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