NTBG014N120M3P onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
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Technische Details NTBG014N120M3P onsemi
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85414900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Weitere Produktangebote NTBG014N120M3P nach Preis ab 38.53 EUR bis 68.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NTBG014N120M3P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG014N120M3P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG014N120M3P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG014N120M3P | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V |
auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBG014N120M3P | onsemi |
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V |
auf Bestellung 4370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBG014N120M3P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK) euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBG014N120M3P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 42.76 EUR |
| 50+ | 42.33 EUR |
| 100+ | 41.9 EUR |
| NTBG014N120M3P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 50.92 EUR |
| 10+ | 38.53 EUR |
| NTBG014N120M3P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 50.92 EUR |
| 10+ | 39.39 EUR |
| NTBG014N120M3P |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 56.33 EUR |
| 10+ | 41.84 EUR |
| NTBG014N120M3P |
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Hersteller: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6313 pF @ 800 V
auf Bestellung 4370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 58.2 EUR |
| 10+ | 42.66 EUR |
| 100+ | 41.78 EUR |
| NTBG014N120M3P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
Description: ONSEMI - NTBG014N120M3P - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 381 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 68.15 EUR |
| 5+ | 54.81 EUR |
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| 100+ | 41.9 EUR |