Technische Details NTBG020N090SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Single, Verlustleistung: 477W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote NTBG020N090SC1 nach Preis ab 29.79 EUR bis 65.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG020N090SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V |
auf Bestellung 1859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBG020N090SC1 | onsemi |
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBG020N090SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 477W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBG020N090SC1 | ON Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 800+ | 29.79 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 39.71 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 39.71 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 40.06 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
SiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 51.17 EUR |
| 10+ | 39.04 EUR |
| 500+ | 36.95 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 55.81 EUR |
| 10+ | 40.82 EUR |
| 50+ | 39.67 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 65.35 EUR |
| 10+ | 60.24 EUR |
| 25+ | 55.18 EUR |
| 50+ | 54.75 EUR |
| NTBG020N090SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)