NTBG030N120M3S onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 17.86 EUR |
| 10+ | 12.4 EUR |
| 100+ | 9.31 EUR |
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Technische Details NTBG030N120M3S onsemi
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: D2PAK-7L, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTBG030N120M3S nach Preis ab 10.23 EUR bis 18.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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NTBG030N120M3S | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L |
auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBG030N120M3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG030N120M3S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBG030N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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NTBG030N120M3S | Hersteller : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V |
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| NTBG030N120M3S | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A Pulsed drain current: 207A Power dissipation: 174W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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