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NTBG030N120M3S

NTBG030N120M3S ON Semiconductor

ntbg030n120m3sd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details NTBG030N120M3S ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 348W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK-7L, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S onsemi NTBG030N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ON Semiconductor ntbg030n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 386 Stücke:
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8+22.47 EUR
12+15.41 EUR
100+12.09 EUR
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ON Semiconductor ntbg030n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
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8+22.47 EUR
12+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S onsemi NTBG030N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1436 Stücke:
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1+23.06 EUR
10+16.21 EUR
100+13.03 EUR
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S onsemi NTBG030N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
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1+23.75 EUR
10+16.53 EUR
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.16 EUR
11+21.1 EUR
50+19.92 EUR
100+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.42 EUR
13+17.96 EUR
50+14.95 EUR
100+13.33 EUR
250+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 77A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.42 EUR
13+17.96 EUR
50+14.95 EUR
100+13.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.21 EUR
12+19.73 EUR
25+18.15 EUR
50+18.08 EUR
100+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NTBG030N120M3S NTBG030N120M3S-D.PDF
NTBG030N120M3S
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
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Supplier Device Package: D2PAK-7
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTBG030N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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8+22.47 EUR
12+15.41 EUR
100+12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTBG030N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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8+22.47 EUR
12+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTBG030N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1436 Stücke:
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10+16.21 EUR
100+13.03 EUR
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NTBG030N120M3S
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
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Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 1922 Stücke:
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10+16.53 EUR
100+13.27 EUR
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NTBG030N120M3S ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG030N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+24.16 EUR
11+21.1 EUR
50+19.92 EUR
100+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG030N120M3S ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG030N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.42 EUR
13+17.96 EUR
50+14.95 EUR
100+13.33 EUR
250+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG030N120M3S ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG030N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.42 EUR
13+17.96 EUR
50+14.95 EUR
100+13.33 EUR
250+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG030N120M3S ONSM-S-A0017896493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG030N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 157 Stücke:
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9+30.21 EUR
12+19.73 EUR
25+18.15 EUR
50+18.08 EUR
100+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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