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NTBG040N120M3S

NTBG040N120M3S ON Semiconductor

ntbg040n120m3sd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details NTBG040N120M3S ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, Verlustleistung: 329W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK-7L, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S ON Semiconductor ntbg040n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S ON Semiconductor ntbg040n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 369 Stücke:
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S ONSEMI 3982074.pdf Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.87 EUR
19+12.32 EUR
50+10.41 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S ONSEMI 3982074.pdf Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.87 EUR
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.96 EUR
10+13.23 EUR
100+10.86 EUR
500+10.2 EUR
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.69 EUR
10+14.28 EUR
100+11.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017730517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.43 EUR
7+36.91 EUR
10+28.23 EUR
50+25.32 EUR
100+23.37 EUR
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017730517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+49.25 EUR
10+40.03 EUR
25+30.61 EUR
50+27.44 EUR
100+25.32 EUR
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 776 Stücke
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NTBG040N120M3S ONN NTBG040N120M3S-D.PDF
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTBG040N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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NTBG040N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
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Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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19+12.32 EUR
50+10.41 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NTBG040N120M3S 3982074.pdf
NTBG040N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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19+12.32 EUR
50+10.41 EUR
100+9.45 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
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10+13.23 EUR
100+10.86 EUR
500+10.2 EUR
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NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
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Supplier Device Package: D2PAK-7
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
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2+20.69 EUR
10+14.28 EUR
100+11.07 EUR
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NTBG040N120M3S ONSM-S-A0017730517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG040N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+45.43 EUR
7+36.91 EUR
10+28.23 EUR
50+25.32 EUR
100+23.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NTBG040N120M3S ONSM-S-A0017730517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTBG040N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120M3S - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
directShipCharge: 25
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6+49.25 EUR
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25+30.61 EUR
50+27.44 EUR
100+25.32 EUR
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NTBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 448 Stücke:
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