NTBG040N120SC1 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 19.94 EUR |
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Technische Details NTBG040N120SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTBG040N120SC1 nach Preis ab 22.49 EUR bis 32.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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NTBG040N120SC1 | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V |
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NTBG040N120SC1 | Hersteller : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V |
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NTBG040N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTBG040N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTBG040N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTBG040N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R |
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| NTBG040N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false usEccn: Unknown Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: Unknown Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| NTBG040N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| NTBG040N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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