Technische Details NTBG040N120SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Single, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote NTBG040N120SC1 nach Preis ab 19.6 EUR bis 43.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTBG040N120SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V |
auf Bestellung 947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBG040N120SC1 | onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTBG040N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 54 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTBG040N120SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 575 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 26.29 EUR |
| 10+ | 22.61 EUR |
| 100+ | 21.41 EUR |
| 500+ | 19.6 EUR |
| NTBG040N120SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 27.96 EUR |
| 10+ | 24.35 EUR |
| 25+ | 23.68 EUR |
| NTBG040N120SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 27.96 EUR |
| 10+ | 23.81 EUR |
| 25+ | 22.8 EUR |
| NTBG040N120SC1 |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 37.47 EUR |
| 10+ | 28.52 EUR |
| 100+ | 28.38 EUR |
| 500+ | 27 EUR |
| NTBG040N120SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.57 EUR |
| 10+ | 31.4 EUR |
| 50+ | 28.99 EUR |
| NTBG040N120SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTBG040N120SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)