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NTBG070N120M3S

NTBG070N120M3S onsemi

NTBG070N120M3S-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2400 Stücke:
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Technische Details NTBG070N120M3S onsemi

Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, Verlustleistung: 252W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: D2PAK-7L, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S ON Semiconductor ntbg070n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 106 Stücke:
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NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S ON Semiconductor ntbg070n120m3sd.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S onsemi NTBG070N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1075 Stücke:
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10+10.64 EUR
100+9.38 EUR
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NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S onsemi NTBG070N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
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NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 252W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
auf Bestellung 1212 Stücke:
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10+21.57 EUR
50+19.34 EUR
100+17.86 EUR
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NTBG070N120M3S NTBG070N120M3S ONSEMI ONSM-S-A0017896502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
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Dauer-Drainstrom Id: 37A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
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Verlustleistung: 252W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
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Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
auf Bestellung 3135 Stücke:
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10+10.84 EUR
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NTBG070N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
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Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
auf Bestellung 1212 Stücke:
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10+21.57 EUR
50+19.34 EUR
100+17.86 EUR
250+16.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG070N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 37A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
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Verlustleistung: 252W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+34.71 EUR
9+28.21 EUR
10+21.57 EUR
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