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NTBG080N120SC1

NTBG080N120SC1 ON Semiconductor

ntbg080n120sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 196 Stücke:
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Technische Details NTBG080N120SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 179W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 179W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Weitere Produktangebote NTBG080N120SC1 nach Preis ab 12.2 EUR bis 26.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 onsemi ntbg080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ON Semiconductor ntbg080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+15.4 EUR
100+14.41 EUR
500+13.36 EUR
1000+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ON Semiconductor ntbg080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+15.4 EUR
100+14.41 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 onsemi ntbg080n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 462 Stücke:
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1+25.53 EUR
10+17.86 EUR
100+14.66 EUR
500+13.76 EUR
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ONSEMI NTBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.89 EUR
12+20.44 EUR
14+15.53 EUR
50+14.14 EUR
100+12.74 EUR
250+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ONSEMI NTBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.89 EUR
12+20.44 EUR
14+15.53 EUR
50+14.14 EUR
100+12.74 EUR
250+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 onsemi ntbg080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
auf Bestellung 12663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.01 EUR
10+18.2 EUR
100+14.92 EUR
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ON Semiconductor ntbg080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ONSEMI 3772050.pdf Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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NTBG080N120SC1 ONN ntbg080n120sc1-d.pdf
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTBG080N120SC1 ntbg080n120sc1-d.pdf
NTBG080N120SC1
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTBG080N120SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+15.4 EUR
100+14.41 EUR
500+13.36 EUR
1000+12.34 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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NTBG080N120SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+15.4 EUR
100+14.41 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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NTBG080N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.53 EUR
10+17.86 EUR
100+14.66 EUR
500+13.76 EUR
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1-D.PDF
NTBG080N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.89 EUR
12+20.44 EUR
14+15.53 EUR
50+14.14 EUR
100+12.74 EUR
250+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1-D.PDF
NTBG080N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.89 EUR
12+20.44 EUR
14+15.53 EUR
50+14.14 EUR
100+12.74 EUR
250+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTBG080N120SC1 ntbg080n120sc1-d.pdf
NTBG080N120SC1
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
auf Bestellung 12663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+26.01 EUR
10+18.2 EUR
100+14.92 EUR
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NTBG080N120SC1 ntbg080n120sc1-d.pdf
NTBG080N120SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1 3772050.pdf
NTBG080N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1 ntbg080n120sc1-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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