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NTBGS004N10G

NTBGS004N10G onsemi


ntbgs004n10g-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
auf Bestellung 138400 Stücke:

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Anzahl Preis
800+5.58 EUR
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Technische Details NTBGS004N10G onsemi

Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTBGS004N10G NTBGS004N10G Hersteller : onsemi ntbgs004n10g-d.pdf Description: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
auf Bestellung 138917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.17 EUR
10+7.6 EUR
100+5.58 EUR
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NTBGS004N10G NTBGS004N10G Hersteller : ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTBGS004N10G NTBGS004N10G Hersteller : ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTBGS004N10G Hersteller : onsemi NTBGS004N10G_D-2300456.pdf MOSFETs Power MOSFET 203 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement - Mode D2PAK 7L
auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.93 EUR
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25+7 EUR
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NTBGS004N10G Hersteller : ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf NTBGS004N10G SMD N channel transistors
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NTBGS004N10G Hersteller : ON Semiconductor ntbgs004n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A T/R
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