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NTBGS1D5N06C onsemi


NTBGS1D5N06C-D.PDF
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, 60 V, 1.62 mohm, 267 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.5 m?, 294 A, Single N-Channel, D2PAK7
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Technische Details NTBGS1D5N06C onsemi

Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 267A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 211W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 211W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBGS1D5N06C NTBGS1D5N06C ONSEMI ntbgs1d5n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
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NTBGS1D5N06C NTBGS1D5N06C ONSEMI 3191502.pdf Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
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Description: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
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