Produkte > ONSEMI > NTBGS4D1N15MC
NTBGS4D1N15MC

NTBGS4D1N15MC onsemi


ntbgs4d1n15mc-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
auf Bestellung 46400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTBGS4D1N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 316W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTBGS4D1N15MC nach Preis ab 4.8 EUR bis 11.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Hersteller : onsemi NTBGS4D1N15MC-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.46 EUR
10+5.46 EUR
100+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Hersteller : onsemi ntbgs4d1n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
auf Bestellung 46945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.58 EUR
10+7.68 EUR
25+6.67 EUR
100+5.52 EUR
250+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Hersteller : ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC Hersteller : ONSEMI 3005744.pdf Description: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC Hersteller : ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC Hersteller : ON Semiconductor ntbgs4d1n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH