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NTBL045N065SC1

NTBL045N065SC1 ON Semiconductor

ntbl045n065sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
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Technische Details NTBL045N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Single, Verlustleistung: 348W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTBL045N065SC1 NTBL045N065SC1 ON Semiconductor ntbl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
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NTBL045N065SC1 NTBL045N065SC1 ON Semiconductor ntbl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
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NTBL045N065SC1 NTBL045N065SC1 ON Semiconductor ntbl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
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NTBL045N065SC1 NTBL045N065SC1 onsemi ntbl045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
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NTBL045N065SC1 NTBL045N065SC1 onsemi ntbl045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
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NTBL045N065SC1 NTBL045N065SC1 ONSEMI 3763396.pdf Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
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NTBL045N065SC1 NTBL045N065SC1 ON Semiconductor ntbl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
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NTBL045N065SC1 ONN ntbl045n065sc1-d.pdf
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Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
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